Datos mm

Propiedades del módulo de memoria

Nombre del módulo Samsung M3 66S1723BTS-C75

Número de serie 1FDD4902h



Tamaño del módulo 128 MB (1 rank, 4 banks)

Tipo de módulo Unbuffered

Tipo de memoria SDRAM

Velocidad de memoria PC133 (133 MHz)

Ancho del módulo 64 bit

Voltage del módulo LVTTL





Método de detección de errores Ninguno

Tasa de actualización/refresco Normal (15.625 us), Self-Refresh

Tiempos de Memoria
@ 133 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Funciones del módulo de memoria
Early RAS# Precharge No soportado
Auto-Precharge Soportado
Precharge All Soportado
Write1/Read Burst Soportado
Buffered Address/Control Inputs No soportado
Registered Address/Control Inputs No soportado
On-Card PLL (Clock) No soportado
Buffered DQMB Inputs No soportado
Registered DQMB Inputs No soportado
Differential Clock Input No soportado
Redundant Row Address No soportado

Fabricante del módulo de memoria
Nombre de la empresa Samsung
Información sobre el producto http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/DRAM/index.htm